DMP1007UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
DMP1007UCB9-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)：
±6V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8.2 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
13.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
900 pF @ 4 V
Power Dissipation (Max)：
840mW (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-WLB1515-9 (Type C)
Paquete / Estuche：
9-UFBGA, WLBGA
