DMP1070U-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMP1070U-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
143 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.5 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
890mW (Ta)
