DMP10H088SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP10H088SPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Vgs (máx.)：
±25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Power Dissipation (Max)：
2.2W (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
83mOhm @ 4.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1808 pF @ 50 V
