DMP10H4D2SQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8 nC @ 10 V
Tipo FET：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
87 pF @ 25 V
