DMP2004UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
DMP2004UFG-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
83 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
POWERDI3333-8
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
115A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3840 pF @ 10 V
