DMP26M1UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMP26M1UFG-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
POWERDI3333-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
71A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5392 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.67W (Ta), 3W (Tc)
