DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMP27M1UPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
84A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
123 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4777 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
