DMP3096L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMP3096L-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.4A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
70mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
366 pF @ 25 V
