DMP65H11D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
DMP65H11D0HSS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs (máx.)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
11Ohm @ 270mA, 10V
