DMP68D1LFB-7B
DIODE
DMP68D1LFB-7B Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 5 V
Paquete / Estuche：
3-UFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
X1-DFN1006-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
65 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 100mA, 5V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
215mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
700mW
