DMT10H009LCG-7
MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
DMT10H009LCG-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
V-DFN3333-8 (Type B)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20.2 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12.4A (Ta), 47A (Tc)
