DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H010LSSQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SO
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4166 pF @ 50 V
