DMT10H052LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMT10H052LFDF-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Paquete / Estuche：
6-UDFN Exposed Pad
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5A (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
258 pF @ 50 V
