DMT10H072LFV-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMT10H072LFV-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
62mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
