DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT12H007SPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
6V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
120 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.9W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
