DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT32M4LPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100A (Tc)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3944 pF @ 15 V
