DMT34M8LFDE-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT34M8LFDE-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
19A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Paquete / Estuche：
6-PowerUDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1024 pF @ 15 V
