DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
DMT6013LSS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOP
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1081 pF @ 30 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
14.3mOhm @ 10A, 10V
