DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT64M1LPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
51.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2626 pF @ 30 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.4mOhm @ 30A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
21.8A (Ta), 81.7A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.14W (Ta), 44W (Tc)
