DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMT64M2LPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.4mOhm @ 50A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46.7 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2799 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
