DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 250µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
V-DFN3333-8 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
47.5 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
990mW (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2664 pF @ 30 V
