DMT8008LPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
DMT8008LPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
83A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2345 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta), 83W (Tc)
