DMTH10H032LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H032LPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
33A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
3.4W (Ta), 68W (Tc)
