DMTH10H032SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMTH10H032SPSW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
25A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
544 pF @ 50 V
