DMTH10H1M7STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerSFN
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2mOhm @ 30A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
250A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
POWERDI1012-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
147 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
6W (Ta), 250W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
9871 pF @ 50 V
