DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
DMTH12H007SK3-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
120 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
86A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
