DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMTH15H017LPSWQ-13 Specifications
Calificación：
Automotive
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.6V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8A (Ta), 50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
17.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3369 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 107W (Tc)
