DMTH3002LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMTH3002LPSQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 1mA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
240A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)：
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5000 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 136W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type K)
