DMTH4002SCTB-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
DMTH4002SCTB-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AB (D2PAK)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
192A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 90A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
77.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
7180 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
6W (Ta), 166.7W (Tc)
