DMTH42M4SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH42M4SPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type K)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
79.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6968 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3.06W (Ta), 150W (Tc)
