DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMTH4M70SPGWQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
SOT-1235
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
460A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
0.7mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10053 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI8080-5
