DMTH6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
DMTH6005LFG-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivo del proveedor：
POWERDI3333-8
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.38W (Ta), 75W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
19.7A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3150 pF @ 30 V
