DMTH6006SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMTH6006SPS-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
17.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.2mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1721 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.94W (Ta), 107W (Tc)
