DMTH61M8LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH61M8LPSQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI5060-8 (Type K)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
225A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.6mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8320 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
