DMTH69M8LFVW-13
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMTH69M8LFVW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Vgs (máx.)：
±16V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
