ZXMP6A18KQTC
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
ZXMP6A18KQTC Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6.8A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.15W (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1580 pF @ 30 V
