DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
22A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
Colis/Caisse：
6-PowerUDFN
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
