DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
DMN1019USNQ-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Colis/Caisse：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
SC-59-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
9.3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2426 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
680mW (Ta)
