DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMN10H220LFDF-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2.2A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6.7 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
225mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
384 pF @ 25 V
