DMN2009UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2009UFDF-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
12.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1083 pF @ 10 V
