DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package d'appareil du fournisseur：
TSOT-26
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
