DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2310UFB4-7B Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.5V, 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Colis/Caisse：
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur：
X2-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
710mW (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
175mOhm @ 1A, 4.5V
