DMN2710UFBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN2710UFBQ-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)：
±6V
Colis/Caisse：
3-UFDFN
Package d'appareil du fournisseur：
X1-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
720mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1.3A (Ta)
