DMN3032L-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN3032L-7 Specifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Vgs (Max):
±20V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur:
SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
5.4A (Ta)
Power Dissipation (Max):
800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
10.1 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
31mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
481 pF @ 15 V