DMN39M1LFVW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN39M1LFVW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
87A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2387 pF @ 15 V
