DMNH10H021SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMNH10H021SPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
58A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
71 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Power Dissipation (Max)：
1.8W
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
28mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3789 pF @ 50 V
