DMP1007UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
DMP1007UCB9-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)：
±6V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8.2 nC @ 4.5 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
13.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
900 pF @ 4 V
Power Dissipation (Max)：
840mW (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
U-WLB1515-9 (Type C)
Colis/Caisse：
9-UFBGA, WLBGA
