DMP1009UFDFQ-7
MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
DMP1009UFDFQ-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
11A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1860 pF @ 10 V
