DMP1012USSQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP1012USSQ-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-SO
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
8.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1344 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 8 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
13.5mOhm @ 9A, 4.5V
