DMP10H088SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP10H088SPS-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs (Max)：
±25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
20A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Power Dissipation (Max)：
2.2W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
83mOhm @ 4.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1808 pF @ 50 V
